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GaN LED建议使用垂直集成的方法推进微型LED显示器
发布时间:2019-03-12 10:40:22 来源:灯饰网 编辑:灯饰网 浏览数:45
导语:美国罗彻斯特理工学院的研究人员提出了一种新设计的GaN LED垂直整合技术,可以提高微型LED显示器的效率。

美国罗彻斯特理工学院的研究人员提出了一种新设计的GaN LED垂直整合技术,可以提高微型LED显示器的效率。


罗彻斯特理工学院的Matthew Hartensveld和Jing Zhang发表了一项关于IEEE Electron Device Letter的新研究,描述了他们如何设法垂直整合纳米线GaN场效应晶体管(FET)和InGaN LED。这种新颖的结构将晶体管置于LED下方,用于控制和调光。


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(图片来源:Hartensveld和Zhang)


结合晶体管和LED,研究人员创造了一种结构紧凑,结构更简单,更便于改进微LED显示器的开发。根据该研究,新结构允许将更多LED放置在一个区域中,从而提高像素密度和分辨率。


因此,新设计有助于开发具有减小的像素尺寸和先进密度的微LED显示器。


目前垂直设计的局限性在于它需要负电压来关闭LED,但研究人员正致力于改进。


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